Name: TOROSUS DDR3 Memory SODIMM Series
Brand: GETM
Availability: InStock
Rating: 4.9 (42 reviews)

Mémoire DDR3 TOROSUS série SODIMM

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Meilleure solution de mise à niveau d’ordinateur portable -Pour les utilisateurs disposant d’ordinateurs portables plus anciens ou de contraintes budgétaires, la RAM DDR3 représente une option viable pour prolonger la durée de vie de leurs systèmes et maximiser leur expérience informatique.

Convivial - Les modules de mémoire DDR3 TOROSUS sont disponibles en différentes capacités, ce qui permet aux utilisateurs d’adapter leurs mises à niveau en fonction de leurs besoins spécifiques et de leurs contraintes budgétaires.

Améliorez les performances de l’ordinateur- Optimisez la mémoire de votre système pour booster les performances de jeu, de multitâche et de rendu.

Ordinateur portable fiableFournisseur de mémoire-TOROSUS utilise des normes d’inspection rigoureuses à l’arrivée, des processus de production professionnels et des méthodes de gestion de la qualité strictes pour fournir une gamme de produits de mémoire DDR conçus pour une utilisation durable. Nos produits bénéficient d’une large compatibilité, d’une stabilité exceptionnelle, de performances de lecture-écriture supérieures et d’une intégration transparente avec les plates-formes informatiques courantes.

QualitéUnAssurance - La mémoire DDR TOROSUS utilise une conception de carte PCB à 6 couches, assurant la stabilité et la transmission haute performance. De plus, il intègre une technologie Nor Flash de niveau A de premier ordre pour une qualité et une compatibilité supérieures du produit.

SPÉCIFICATIONS DE LA RAM DE LA SÉRIE TOROSUS DDR3 SODIMM
Série	Série DDR3 SODIMM
Marque	TOROSUS
Capacité	2 Go	4 Go	8 Go
Numéro de modèle	DDR3-NB-2GB	DDR3-NB-4GB	DDR3-NB-8GB
EAN	6935515102489	6935515102496	6935515102502
Vitesse / fréquence de la mémoire	1333 MHz	1600 MHz	1600 MHz
Bande passante mémoire (Go/s)	10700	12800	12800
Rang (1Rx8/2Rx8/8Rx4)	1RX8	1Rx8/2RX8	2Rx8
Latence CAS	CL 9-9-9-24	Référence CL11-11-11-28	Référence CL11-11-11-28
Tension de fonctionnement	1,35/1,5 V	1,35/1,5 V	1,35 V/1,5
Non. du circuit intégré de mémoire	8	8/16	8/16
Consommation électrique	6 W max.
Contrôleur IC	Aucun
Prise en charge de l’overclocking (OUI / NON)	NON
ECC (Code de correction d’erreur) (OUI/NON)	NON
Poids net (g)	10g
Poids brut (g)	26 grammes
Nombre de broches	260
Prise en charge OEM/ODM	Oui
Dissipateur thermique / Dissipateur de chaleur	NON
Facteur de forme	SODIMM
Type de mémoire de l’ordinateur (DRAM/SDRAM)	DRAM
Température de fonctionnement	0~70°C
Température de stockage	-40~85°C
Garantie	3 ans
Non. Nombre de canaux de mémoire (simple/double)	Célibataire
Dimensions du produit (L x P x H) en mm	68 x 30 x 3,2 mm
Mémoire tamponnée / non tamponnée	Mémoire sans tampon
Marque de circuit intégré de mémoire	Micron/Samsung/Sk Hynix

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